DDR2和DDR3是DDR RAM内存的版本,其中DDR3是更高级版本,并且具有更高的功能,如高数据传输速度,低功耗,存储器复位选项,更多内存等。但主要区别在于DDR3提供DDR2速度两倍的数据速率。
DDR2与DDR3的区别是什么
随着技术的进步,还开发了更快的存储器版本,例如DDR(双倍数据速率)存储器。DDR存储器背后的主要概念是通过向芯片应用行地址,在芯片内同时访问大量位。
有几种技术用于提高从引脚到芯片的位传输速度。为了有效地利用时钟速度,数据被外部传输到时钟的上升沿和下降沿,这就是这些存储器被称为双倍数据速率存储器的原因。
DDR2和DDR3的比较图表
比较的参数 | DDR2 | DDR3 |
---|---|---|
时钟频率(理论值) | 400 - 800 Mhz | 800 - 1600 Mhz |
传输数据速率 | 400 - 800 Mbps | 800 - 1600 Mbps |
电源电压 | 1.8伏特 | 1.5伏特 |
预取位宽 | 4位 | 8位 |
内存重置选项 | 没有提供重置选项 | 提供 |
能量消耗 | 高 | 低 |
速度 | 相对较慢 | 快一点 |
潜伏 | 2 - 5 | 7 - 11 |
性能 | 比DDR3更好 | 平均 |
成本 | 低 | 高 |
DDR2的定义
DDR2是DDR(双数据速率)存储器的第二个版本。开发这些版本的RAM是为了实现块传输的高数据速率。它可以以400到1066 Mhz的时钟速率传输数据。
DDR 2版本是DDR的后继产品,其中主要变化应用于RAM芯片和预取缓冲器的工作频率,并且两个参数的数量都已增加。预取缓冲区是4位的内存缓存,驻留在DDR2的RAM芯片中。缓冲器用于RAM芯片中,用于尽可能快地预定位数据总线中的位。
DDR2是一款240针DIMM(双列直插式内存模块)架构,工作电压为1.8伏。这些DIMM由连接到主板的单个板中的一个或多个RAM芯片组成。DDR2的电压从其先前的DDR技术降低,以消除热效应。
DDR采用144引脚DIMM设计,工作电压为2.4伏。DDR2和DDR之间没有兼容性,因为它们都使用不同的主板插槽和DIMM密钥。
DDR3的定义
DDR3是DDR2的高级版本,它将预取缓冲区增加到8位,工作频率高达1600 Mhz。然而,功率量已减少到1.5伏,这也降低了高频的加热效果。DDR3的引脚架构也有240个引脚,但由于缺口密钥不同,这些引脚不能用于DDR2的主板RAM。
在DDR3中,有一个独特的选项可用于通过软件复位操作清除存储器,即存储器复位。内存重置选项可确保在重新引导系统后清除内存并清空。
DDR2和DDR3之间的主要区别
DDR2存储器工作在400到800 Mhz的范围内,产生高达800 Mbps的数据速率。相反,DDR3的工作频率范围为800至1600 Mhz,数据传输速率高达1600 Mbps。
DDR2消耗更多功率,因为它提供的电压为1.8伏。相反,对于DDR3,所提供的电压为1.5伏,小于DDR2,并且还显着降低了由于高频引起的加热效应。
DDR2中的预取缓冲区为4位大小,而DDR3包含8位缓冲区。
存储器复位选项在DDR3中可用,但在DDR2中不可用。
DDR3比DDR2快。
降低延迟性能,DDR2具有较低的延迟值,并且相对于DDR3具有更好的性能。
DDR3比DDR2贵一些。
总结
DDR2是早期版本,是一种过时的技术,DDR3是DDR的后续版本,其中DDR3得到改进,并提供更多功能,如增加存储空间,低功耗,更快的时钟速度和系统灵活性。
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